Samsung Electronics heeft een belangrijke doorbraak bereikt in de geheugenmarkt met hoge bandbreedte, waarbij het HBM4-geheugen van de volgende generatie beter presteert dan de concurrentie in snelheids- en energie-efficiëntietests voor Nvidia’s aankomende Vera Rubin AI-accelerator, aldus Maeil zakenkrant. Tijdens een bezoek vorige week bevestigden vertegenwoordigers van Nvidia dat Samsung “de beste resultaten in de geheugenindustrie” boekte, wat aanleiding gaf tot een verzoek om leveringsvolumes die de interne verwachtingen van Samsung ruimschoots overtroffen. Dit succes markeert een dramatische ommekeer ten opzichte van de HBM3E-generatie, waar Samsung bijna een jaar achterbleef op de concurrentie. De ommekeer wordt toegeschreven aan een risicovolle technische strategie waarbij Samsung het D1b DRAM-proces volledig oversloeg om direct door te gaan naar het 10-nanometer D1c-proces. Door deze nieuwe DRAM te combineren met logische matrijzen die zijn geproduceerd met behulp van een gieterijproces van 4 nanometer, werd Samsung de eerste fabrikant die gegevensoverdrachtsnelheden van meer dan 11 gigabits per seconde behaalde. Hoewel SK hynix een voorsprong van ongeveer drie maanden heeft – omdat het al begonnen is met het leveren van betaalde monsters – heeft Samsung met succes de kloof met de vorige generatie verkleind. Marktgegevens weerspiegelen dit herstel, waarbij Samsung in het derde kwartaal van 2025 de nummer twee plek op de HBM-markt heroverde met een aandeel van 22% en daarmee Micron inhaalde. De contracten zullen naar verwachting in het eerste kwartaal van 2026 worden geformaliseerd, met volledige leveringen gepland voor het tweede kwartaal om te voldoen aan Nvidia’s tijdlijn voor de release. Vera Rubin platformlancering in het derde kwartaal van 2026.
